Научные чтения, посвященные памяти академика А.Е. Фаворского

 chteniya-favorskogo-3

Впервые конференция была организована в 2013 г.  Конференция в институте проведена впервые и была приурочена ко дню рождения академика Фаворского (1860 г., 20 февраля по старому стилю). Почётное право носить имя этого великого русского химика-органика Иркутский институт химии СО РАН получил по постановлению Президиума Российской академии наук в 2000 г. (№ 42 от 15.02.2000) – за реальные успехи в развитии химии ацетилена – химии, которая всегда была его любимым детищем.

Иркутский институт химии им. А. Е. Фаворского чтит память учёного, имя которого он носит, и научное наследие которого он приумножает.

Инициатива организаторов получила полную поддержку и содействие профессуры химического факультета Санкт-Петербургского госуниверситета (члена-корреспондента РАН В.Ю. Кукушкина, профессоров Р. Р. Костикова, И. Н. Домнина, И. А. Баловой, М. А. Кузнецова) и Российского фонда фундаментальных исследований. С этим университетом связана почти вся жизнь и научно-педагогическая деятельность Алексея Евграфовича. Химический факультет СПбГУ уже многие десятки лет проводит традиционные чтения, посвящённые памяти учёного.

Основные научные направления:

  • жизнь и научная деятельность академика А.Е. Фаворского и его учеников;
  • органический и элементоорганический синтез на базе ацетилена и его производных;
  • пути разработки лекарственных средств и фармпрепаратов;
  • гипервалентные производные элементоорганических соединений.

На конференцию приглашаются известные ученые – представители ведущих научных школ, которые выступают перед присутствующими с результатами собственных исследований и рассказывают о перспективах их развития.

По результатам работы конференции издается сборник тезисов. В программу конференции включены пленарные, устные, стендовые доклады и презентации компаний.

chteniya-favorskogo-1

chteniya-favorskogo-2

chteniya-favorskogo-4

V научные чтения, посвященные памяти академика А.Е. Фаворского, Иркутск, 20-24 февраля 2017 г.