Область применения:

  — изучение строения и свойств различных парамагнитных центров в синтетических и природных нано- и микрообъектах;

  — изучение механизмов радикальных реакций;

  — исследование микроскопического окружения неспаренного электрона, молекулярного движения, фазовых переходов.

Основные характеристики:

  — диапазон частот: 9—10 ГГц (Х-band);

  — магнитное поле —3000 G;

  — абсолютная чувствительность — 1,2  ×  1010 сп/G;

  — температурный режим от 4 К до 500 К;

  — режимы: непрерывный и импульсный.